Samsung semble vouloir mettre la barre très haut pour certains composants de son futur Galaxy S10, son smartphone vedette qui devrait être dévoilé le 20 février. Il a confirmé aujourd’hui lancer sur le marché de la mémoire flash adaptée aux smartphones d’une capacité d’un To, soit la taille d’un disque dur usuel de grande capacité!
Le Coréen a même confirmé à certaines rédactions que son fleuron disposerait d’une telle capacité de stockage. Jusqu’ici, le Galaxy Note 9 était un des seuls appareils du marché qui pouvait atteindre cette valeur, mais en combinant une carte micro-SD équivalente au 512 Go de mémoire embarqués…
Mémoire encore plus rapide
Le numéro un mondial du smartphone et spécialiste d la mémoire de stockage donne par ailleurs de précieuses informations sur ce futur composant, plus rapide que la génération précédente. Cette mémoire permettra de lire des données jusqu’à 1000 Mbits/sec et d’écrire jusqu’à 260 Mbits/sec.
Dans son communiqué, le géant écrit que «les amateurs de smartphones pourront bientôt profiter d’une capacité de stockage comparable à celle d’un ordinateur portable haut de gamme, sans avoir à coupler leur téléphone avec des cartes mémoire supplémentaires». Est-ce à dire qu’il tentera à nouveau de supprimer le port micro-SD?
Digne d’un ordinateur portable haut de gamme
Concrètement, «l’eUFS de 1 To devrait jouer un rôle crucial en apportant une expérience utilisateur plus proche de celle d’un ordinateur portable à la prochaine génération d’appareils mobiles», souligne Cheol Choi, un des vice-présidents de Samsung Electronics, qui s’engage à mettre en œuvre une ligne de production adéquate….
Avec la même taille de boîtier que la génération précédente de la mémoire V-NAND 512 gigabits (Go) (11,5 mm x 13,0 mm), la solution eUFS 1 To double la capacité disponible. Pour arriver à une telle prouesse, Samsung a combiné 16 couches empilées de sa mémoire flash la plus moderne et un contrôleur propriétaire nouvellement développé.
Xavier Studer