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Intel et Micron lancent de la mémoire «révolutionnaire»

Intel et Micron lancent un nouveau type de mémoire informatique...

Intel et Micron lancent un nouveau type de mémoire informatique…

Intel et Micron ont dévoilé mardi une nouvelle technologie de mémoire baptisée 3D XPoint, qui pourrait bouleverser la conception des appareils informatiques. Cette mémoire non-volatile serait  jusqu’à 1000 fois plus rapide que la mémoire flash traditionnelle actuelle et aussi plus économique.

Intel estime que «la technologie 3D XPoint constitue une avancée majeure dans le monde des technologies de mémoire. Il s’agit de la première nouveauté réelle en termes de catégories de mémoire depuis l’invention de la mémoire flash NAND en 1989.» Rappelons que ses concurrents travaillent déjà sur la NAND 3D…

Selon les documents d’Intel, «la technologie 3D XPoint combine la performance, la densité, la puissance, la non-volatilité et les coûts avantageux des diverses technologies disponibles sur le marché actuel. La technologie est jusqu’à 1000 fois plus rapide, et offre une endurance jusqu’à 1000 fois supérieures  par rapport au NAND, et est 10 fois plus dense que les mémoires traditionnelles.»

Pour des processeurs plus efficaces

«Pendant des décennies, l’industrie a recherché des moyens de réduire les temps de latence entre le processeur et les données, afin d’accélérer l’analyse», déclare Rob Crooke, vice-président et directeur général du Non-Volatile Memory Solutions Group d’Intel. «Cette nouvelle catégorie de mémoires non-volatile atteint cet objectif, et constitue une avancée radicale dans le domaine des solutions de stockage et de mémoire.»

Cette architecture, dénuée de tout transistor, est basée sur une structure tridimensionnelle. Les données peuvent donc être écrites et lues en petites quantités, ce qui entraîne des processus de lecture/écriture plus efficaces et plus rapides. Dans l’animation ci-dessous, Intel présente un schéma où mémoire vive et mémoire de stockage ne font plus qu’un… Il évoque aussi de futures annonces…

XS

3D XPoint: visionner la vidéo

4 commentaires pour “Intel et Micron lancent de la mémoire «révolutionnaire»

  1. TerraNova
    07/29/2015 à 11 h 39 min

    C’est pas le même type de mémoire qu’à mis au point Samsung (LPDDR4) et qui est utilisée dans les Galaxy S6 ?

    • Eco
      07/29/2015 à 22 h 20 min

      Non, c’est très différent. Ce ne pas de la RAM, mais une sorte de SSD qui va à la vitesse de la RAM, mais qui contrairement à de la RAM, ne’st pas volatil (c’est donc comme les disque durs justement). On a déjà depuis un petit moment une nouvelle technologie de SSD qui va rendre à terme désuets les actuels SSD Sata, et c’est d’ailleurs la même interface de cette nouvelle technologie (PCIe NVMe) qui sera utilisée ici. La seule différence c’est que c’est bien plus rapide que les SSD PCIe actuels, même si le 1000 fois joue un peu sur les mots. Ils parlent probablement de la latence, pas de la vitesse de lecture écriture (même la RAM actuelle n’est pas 1000 fois plus rapide que les SSD Sara actuels, loin de là même…).

      • TerraNova
        07/30/2015 à 9 h 06 min

        MErci pour ces infos très intéressantes

  2. rolgui
    07/29/2015 à 12 h 23 min

    Ça va être formidable ces nouvelles mémoires. L’affichage des pages d’internet sera toujours à la traîne, esclave du débit.

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